//]]> الترانزستورات Transistors -->

Translate

نموذج الاتصال

الاسم

بريد إلكتروني *

رسالة *

Wikipedia

نتائج البحث

الترانزستورات Transistors

الترانزستورات Transistors
    بسم الله الرحمن الرحيم 
    السلام عليكم ورحمة الله وبركاته أخوتي الأعزاء احبابي اصحابي متابعيني احبكم جميعا تابعوا وترقبوا مني انا أخوكم ابو شاكر.

    * الترانزستور :الترانزستو Transistor هو قطعة إلكترونيّة مصنوعة من مادة السليكون على الأغلب أو مادّة الجرمانيوم، وهي تصنع من مواد شبه موصلة ذات مدار ذرّي أخير مكوّن من أربع إلكترونات مطعمة بالشوائب، وعمليّة التطعيم بالشوائب تُعطي البلورة قطبيةً إمّا بالنوع السالب أو بالنوع الموجب، وتعتمد القطبية للمطعمات حسب المدار الأخير إن كانت ذات مدار إلكتروني أخير ذي ثلاثة إلكترونات فإنّ البلورة تكون ذات قطبيّة موجبة، وإن كانت ذات مدار إلكتروني أخير ذي خمسة إلكترونات فإن البلورة تكون ذات قطبيّة سالبة. الترانزستو Transistor هو قطعة إلكترونيّة مصنوعة من مادة السليكون على الأغلب أو مادّة الجرمانيوم، وهي تصنع من مواد شبه موصلة ذات مدار ذرّي أخير مكوّن من أربع إلكترونات مطعمة بالشوائب، وعمليّة التطعيم بالشوائب تُعطي البلورة قطبيةً إمّا بالنوع السالب أو بالنوع الموجب، وتعتمد القطبية للمطعمات حسب المدار الأخير إن كانت ذات مدار إلكتروني أخير ذي ثلاثة إلكترونات فإنّ البلورة تكون ذات قطبيّة موجبة، وإن كانت ذات مدار إلكتروني أخير ذي خمسة إلكترونات فإن البلورة تكون ذات قطبيّة سالبة، وتعتمد عمليّة فحص الترانزستر على نوعه، وحسب التركيبة المصنع منها. استخدامات الترانزستو هي قطعة إلكترونيّة من القطع الأساسية جائت نتيجة التحوّل من القطع الكهربائية إلى القطع الإلكترونيّة نتيجة ظهور المواد شبه الموصلة؛ حيث إنّها تطوّرت عن قطعة كهربائيّة تسمّى الصمام الثلاثي، وهي تدخل في تكوين الدوائر والأجهزة الإلكترونيّة والكهربائيّة، ويرجع هذا إلى أهميّتها للاستخدام في الدوائر الإلكترونيّة والدوائر المتكاملة ولا يمكن حصرها، ولكن بشكل عام ومختصر فهي تستخدم فيما يلي:مكبّر للإشارة الكهربائية . مفتاح إلكتروني . مولّد للذبذات وللإشارات في دوائر الدوائر الإلكترونية. مازج للإشارة في دوائر الإرسال والاستقبال . مفاضل في دوائر الانحراف الأفقي . مكامل في دوائر الانحراف الرأسي . عاكس للإشارة . منظّم لدوائر الفولت المستمر .

    إقرأ المزيد على موضوع.كوم: أسس كهرباء ١.مكبّر للإشارة الكهربائية ٢. مفتاح إلكتروني ٣ . مولّد للذبذات وللإشارات في دوائر الدوائر الإلكترونية. ٤.مازج للإشارة في دوائر الإرسال والاستقبال .  ٥.مفاضل في دوائر الانحراف الأفقي ٦ . مكامل في دوائر الانحراف الرأسي ٧ . عاكس للإشارة ٨ . منظّم لدوائر الفولت المستمر .

    إقرأ المزيد على .موضوع العوازل الكهربائية للتوتر العالي_ منخفص العديد من الآنواع المختلفه من الترانزستورات وكل منها تختلف في خصائصها، ولكل منها مزاياها وعيوبها.وتستخدم بعض أنواع الترانزستورات في المقام الأول كفتاح. ويمكن استخدامها كفتاح للدائرة أو لتكبير الفولت أو التيار. الترانزستورات الأخرى يمكن أن تستخدم كفتاح أو كمكبر في نفس الدائرة، أدناه نعرض قائمه من الآنواع المختلفه من الترانزستورات وخصائصهم بشكل مفصل.
    *الترنزيستورثنائي القطبية Bipolar Junction Transistors

    من أنواع الترانزستورات الترانزستور ثانئى القطبيية فهو ينقسم إلى ثلاثة أجزاء، القاعدة base، الجامع collector والباعث emitter. الترانزستورا ثنائي القطبية، على عكس الترانزستورات fet أفهى تعتبر أجزاء تتحكم في التيار المار بالدائرة. تيار صغير يدخل إلى القاعدة يؤدى إلى تيار كبير يمر عبر الباعث emitter إلى منطقه الجامع collector.
    وتنقسم الترانزستورات الثنائية القطبية إلى نوعين رئيسيين هما NPN وPNP. والترانزستور NPN هو الذي يحوى اغلبه على الكترونات سالبة وعدد أقل من holes الموجبة اما pnp عكسه فاغلبة holes والاقلية الكترونات سالبة.
    وعموما، فان الترانزستورا ثنائى القطبية هو النوع الوحيد من الترانزستور الذي يتم تشغيله بواسطة إدخال تيار إليه من القاعدة base. هذا لان مدخله يحتوى على أقل مقاومه مقارنة بالأنواع الأخرى. فالمقاومة المنخفضة تسمح للتدفق التيار من خلال قاعده الترانزستور. بسبب هذه المقاومة المنخفضة أيضا يمكن الحصول على أعلى معدل تضخيم من بين جميع أنواع الترانزستورات الأخرى.
    الجانب السلبي من هذا النوع هو لان مدخلة مقاومته ضعيفة، فتسبب بطى مرور التيار في الدائره. ومن هذا نستنتج أن للمقاومة الصغيرة في الترانزستور عدة مزايا وعدة عيوب فيجب عليك إختيار نوع الترانزستور المناسب للدارة التي تعمل عليها لتجنب حدوث مشاكل.

    الترانزستور الحقلي Field Effect Transistors

    الترانزستورات الحقلى هو الترانزستور المصنوع من 3 أجزاء وهم، بوابه gate، ومصدر source، واستنزاف drain. وعلى عكس الترانزستور ثنائى القطبية، فان الترانزستور الحقلى تعتبر أجهزه تتحكم بالجهد (voltage-controlled devices). والجهد الذي يوضع عند البوابة (gate) يتحكم في التيار المار من المصدر (source) إلى استنزاف (drain).الترانزستور الحقلى له مقاومه عاليه جدا  (high input impedance)  تقدر بالميجا اوم (MΩ). هذا الارتفاع الكبير في مقاومه المدخلات يسبب مرور تيار قليل جداً من خلاله، ووفقا لقانون أوم، فان التيار يتناسب عكسى مع المقاومة للدائرة I=V/R. إذا كانت المقاومه عاليه، فان التيار يصبح منخفض
    لكن من عيوب الترانزستور الحقلى [FETs]  أن معدل التكبير لديه اقل من الترانزستور تنائى القطبية. الترانزستورات الثنائية القطبية متفوقة في حقيقة انها توفر معدل تكبير عإلى جدا، على الرغم من أن الترانزستور الحقلى هو أفضل في انها تسبب حمل اقل على مصدر الطاقة، وأرخص، وسهل للتصنيع عن تنائى القطبية.
    الترانزستور الحقلى له نوعان رئيسيان هما JFETs وMOSFETs هما متشابهان جداً لكن النوع MOSFETs له مقاومة داخلية أكبر فقط فيمكنك إختيار المناسب حسب الحاجة.

    الترانزستور المكبر للاشارات Small Signal Transistors

    هي الترانزستورات التي تستخدم في المقام الأول لتضخيم إشارات منخفضه المستوي ولكن يمكن أيضا أن تعمل بشكل جيد كمفاتيح في الدائرة الكهربية.الترانزستورات تاتي مع قيمه معينة تدعى قيم hFE، والتي تشير إلى أى مدي الترانزستور يمكنه تضخيم الإشارات المدخلة. وتتراوح قيم مؤشرات القيمة القصوى النموذجية للترانزستور هذا من 10 إلى 500، مع تقييمات الحد الأقصى (تيار الجامع(collector) من حوالي 80 إلى 600 ma. وهي تاتي في شكل NPN  وPNP. تتراوح ترددات التشغيل القصوى من حوالي 1 إلى 300 ميغاهيرتز

    الترانزستور كمفتاح Small Switching Transistors

    هي الترانزستورات التي تستخدم في المقام الأول كمفاتيح ولكن يمكن أيضا أن تستخدم كمكبرات للصوت. وتتراوح القيمة المثلي hFE لها من 10 إلى 200، مع الحد الأقصى للتقديرات ال Ic من حوالي 10 إلى 1000 ma. وهي تاتي في شكل NPN وPNP.
    من حيث التصميم، تستخدم الترانزستورات التبديل الصغيرة في المقام الأول كمفاتيح التبديل. على الرغم من انها قد تستخدم كمكبرات للصوت، وقيمة hfe فقط 200، مما يعني انها ليست قادره على تضخيم اشارات صغيره. وهذا يجعلها أكثر فائده كفتاح للتبديل،

    الترانزستور المتحكم بالطاقة Power Transistors

     هي مناسبه للتطبيقات حيث يتم استخدام الكثير من الطاقة، التيار والجهد. ويرتبط جامع الترانزستور بقاعده معدنيه تعمل كبالوعة للحرارة لتبديد الطاقة الزائدة.
    وتتراوح تقديرات الطاقة النموذجية من حوالي 10 إلى 300 واط، مع تصنيفات الترددات من حوالي 1 إلى 100 ميغاهرتز. تتراوح القيم القصوى للic بين 1 إلى 100 ا. وتاتي الترانزستورات الكهربائية في شكل NPN وPNP.
    هي الترانزستورات التي تستخدم للإشارات الصغيرة التي تعمل في ترددات عاليه للتطبيقات للتبديل بسرعة كمفاتيح, هذه هي الترانزستورات التي تستخدم لإشارات التردد العالي ويجب أن تكون قادره على التبديل والإيقاف بسرعةعالية جدا.وتستخدم الترانزستورات ذات الترددات العالية في التردد العادى، عاليه التردد، والتردد الفائق، ومكبرات الصوت. الحد الأقصى لمعدل التردد حوالي 2000 ميغاهيرتز والتيارات الأقصى الIc من 10 إلى 600 ma. وهي متاحه في كل من NPN وPNP.

    الترانزستورات الحساسة للضوء Photo transistors

    وهى نوع شائع من الترانزستور يشبه الترانزستور الثنائي القطب مع استبدال قاعدتها بالمنطقه الحساسة للضوء. هذا هو السبب في الترانزستور الضوئي يتكون من جزئين بدلا من 3 كالمعتاد. عندما يتم الحفاظ على هذا الترانزستور فى  الظلام لا يعمل.ومع ذلك، عندما تكون المنطقة الحساسة للضوء معرضه للضوء، يتم مرور تيار أكبر بكثير من الجامع إلى الباعث.






    ترانزستور أحادي المفرق Uni junction Transistors
    هي التي تعمل حصرا كمفاتيح وهي لا تستخدم كمكبرات
    هذا يختلف عن الترانزستورات الأخرى في أن الترانزستورات العامة عاده ما توفر القدرة على العمل بمثابه مفتاح وأيضا كمكبر. ولكن الترانزستور أحادي المفرق لا توفر أي نوع من التكبير بسبب الطريقة التي صنع بها. انها ببساطه ليست مصممه لتوفير الجهد الكافي أو التيار الكافي للتكبير.
    والأجزاء الثلاثة للترانزستور أحادي المفرق هي B1، B2، والرصاص الباعث، وهو الخيط الذي يتلقى المدخلات الحالية.العملية الاساسيه لهذا الاتحاد بسيطه نسبيا. عندما لا يوجد فرق محتمل (الفولطيه) بين الباعث الخاص به وأي من العملاء الجزئين الأساسيين (B1 أو B2)، فان التدفقات الحالية صغيرة جداً فقط من B2 إلى B1. ومع ذلك، إذا كانت الفولتية المحفزة الموجبة كبيرة بما فيه الكفاية-بالنسبة إلى الجزئين المتوقعين الأساسيين-يتم تطبيقها على الباعث، فان التدفقات الحالية الأكبر من الباعث وتجمع التيار الصغير من B2 إلى b1، خلافا لغيرها من الترانزستورات.
    وهذا القليل القليل من شرح هذا العنصر الإلكتروني واتمنى ان اكون قد وفقت في ايصال المعلومة للمتلقي العربي والله ولي النعمة وصاحب التوفيق اقول هذا الكلام واستغفر الله العظيم وشكرا لكم لدع الموقع اظغط الزر على اليمين للاشتراك بالاشعارات وشكرا.
    @abo chakir tech

    مواضيع مهمه
    إلكترونيات

    @abo chakir tech
    @مرسلة بواسطة
    منشئ محتوى فيديو على يوتيوب ومدون ومدير موقع Abo chakir tech .